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irfb30是一种功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），通常用于高性能功率放大器和开关应用。该器件具有低导通电阻和高电流承载能力，适用于驱动大功率负载。它的引脚配置一般为：源极（Source, S）、漏极（Drain, D）和栅极（Gate, G）。
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